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低温量热核辐射探测器-放卫

低温量热核辐射探测器(cryogenic calorimetric nuclear radiation detector) ，指利用入射射线被吸收体吸收而完全“热化”、使吸收体温度增加，通过测量吸收体温度增量△T △T 正比于吸收体吸收射线的能量，从而实现对致电离、极少致电离、甚至不致电离的粒子（或事件）的能量测量的探测器。 ...

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超导核辐射探测器-放卫

超导核辐射探测器 (superconductor nuclear radiation detector) ，指利用超导体所特有的物理现象及各种结构来构成的核辐射探测器。

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自给能探测器-放卫

自给能探测器 (self powered detector) ，指无须外加电源，探测器内部的发射体在中子作用下，生成活化核而发射缓发β粒子，或俘获瞬发γ射线而发射电子，由发射的β粒子和电子形成电流，用于探测中子或γ射线的探测器。

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钙钛矿探测器-放卫

钙钛矿探测器(perovskite detector) ，指利用具有钙钛矿结构的铅基卤素半导体材料制成的探测器。

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碲锌镉半导体探测器-放卫

碲锌镉半导体探测器 (semiconductor CdZnTe detector) ，简称“CZT探测器”，指用CdZnTe （CZT ）晶体制成的探测器。

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碘化汞核辐射探测器-放卫

碘化汞核辐射探测器（HgI2nuclear radiation detector) ，指由 HgI2材料制成的无结器件，是一种匀质体电导型核辐射半导体探测器。

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砷化镓半导体探测器-放卫

砷化镓半导体探测器 (semiconductor GaAs detector)，指用 GaAs 单晶做成的探测器。

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碲化镉半导体探测器-放卫

碲化镉半导体探测器 (semiconductor CdTe detector) ，指用CdTe单晶制成的探测器。

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硅光电倍增管探测器-放卫

硅光电倍增管探测器 ( silicon photomultiplier detector) ，简称“SiPM探测器”，指由工作在盖革模式下的雪崩二极管阵列构成的高灵敏度硅光电探测器。具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。广泛应用于高能物理及核医学（PET）等领域。 ...

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硅光电二极管探测器-放卫

硅光电二极管探测器(silicon photo diode detector) ，指由硅构成的间接探测核辐射的一种硅光电探测器，探测由闪烁体将核辐射转换成的闪烁光。

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结型半导体探测器-放卫

结型半导体探测器( junction semiconductor detector) ，指采用热扩散，离子注入和表面势垒工艺制备的 P-N 结和表面势垒探测器。

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气体闪烁体-放卫

气体闪烁体(gas scintillator)，指一种由气体作闪烁材料的无机闪烁体。它所用的气体大多是惰性气体，如氙、氪、氩、氦及氖等。

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无机闪烁体-放卫

无机闪烁体 ( inorganic scintillator) ，指一种由无机物质组成的闪烁体。

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塑料闪烁体-放卫

塑料闪烁体 ( plastic scintillator) ，指一种有机闪烁物质在塑料中的固溶体，通常由基质闪烁物质及移波剂组成。

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有机闪烁体-放卫

有机闪烁体 (organic scintillator) ，指一种由有机物质组成的闪烁体。

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漂移室-放卫

漂移室 (drift chamber) ，指基于测量电子的漂移时间来确定入射粒子辐射位置的位置灵敏型探测器，工作在气体放电正比区。

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半导体探测器-放卫

半导体探测器 ( semiconductor detector ) 指一种用半导体材料制成的电离辐射探测器。实质上它是一种特殊的半导体二极管。

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径迹探测器-放卫

径迹探测器(track detector)，指利用射线在探测器内部产生的径迹以获得信息的辐射探测器。

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固体电离探测器-放卫

固体电离探测器 ( solid -state ionization detector ) 指一种辐射灵敏物质为固体形态的电离探测器。常见的固体探测器有半导体探测器和晶体电导型探测器等。

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脉冲电离室-放卫

脉冲电离室 ( pulse ionization chamber ) 指对每次探测到的电离事件都产生一个输出脉冲的电离室。

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