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高纯锗探测器-放卫
高纯锗探测器(high purity germanium detector,HPGe) ,指用纯度极高的锗单晶制成的半导体探测器。
定义
完全无弹性-卫经
完全无弹性(perfect price inelasticity),指当弹性系数等于0 时,表示因变量的变动对自变量变动无影响的特性。
定义
流气式探测器-放卫
流气式探测器(gas-flow detector) ,指通过气体在探测器中低速流动来维持其中有合适的工作气体的核辐射探测器。例如在放射性核素活度测量中所用的 2π和4π流气式正比计数器。
定义
低温量热核辐射探测器-放卫
低温量热核辐射探测器(cryogenic calorimetric nuclear radiation detector) ,指利用入射射线被吸收体吸收而完全“热化”、使吸收体温度增加,通过测量吸收体温度增量△T △T 正比于吸收体吸收射线的能量,从而实现对致电离、极少致电离、甚至不致电离的粒子(或事件)的能量测量的探测器。 ...
定义
单一弹性-卫经
单一弹性(unit price elasticity),又称“单位弹性(unit price elasticity)",指当弹性系数等于1 时,表示自变量的变动率等于因变量的变动率的特性。
定义
超导核辐射探测器-放卫
超导核辐射探测器 (superconductor nuclear radiation detector) ,指利用超导体所特有的物理现象及各种结构来构成的核辐射探测器。
定义
缺乏弹性-卫经
缺乏弹性(price inelastic),指当弹性系数小于1 时,表示自变量的变动率小于因变量的变动率的特性。
定义
自给能探测器-放卫
自给能探测器 (self powered detector) ,指无须外加电源,探测器内部的发射体在中子作用下,生成活化核而发射缓发β粒子,或俘获瞬发γ射线而发射电子,由发射的β粒子和电子形成电流,用于探测中子或γ射线的探测器。
定义
钙钛矿探测器-放卫
钙钛矿探测器(perovskite detector) ,指利用具有钙钛矿结构的铅基卤素半导体材料制成的探测器。
定义
富有弹性-卫经
富有弹性(price elastic),指当弹性系数大于1 时,表示自变量的变动率大于因变量的变动率的特性。
定义
碲锌镉半导体探测器-放卫
碲锌镉半导体探测器 (semiconductor CdZnTe detector) ,简称“CZT探测器”,指用CdZnTe (CZT )晶体制成的探测器。
定义
卫生服务需求价格弹性-卫经
卫生服务需求价格弹性(price elasticity of demand for health service),指反映了卫生服务需求量对卫生服务价格变动的反应程度。
定义
碘化汞核辐射探测器-放卫
碘化汞核辐射探测器(HgI2nuclear radiation detector) ,指由 HgI2材料制成的无结器件,是一种匀质体电导型核辐射半导体探测器。
定义
需求弹性-卫经
需求弹性(elasticity of demand),指在一定时期内某种商品需求量的变动对其他因素(如价格、收入等)变动的反应程度。可分为需求价格弹性、需求收入弹性、需求交叉弹性等。
定义
砷化镓半导体探测器-放卫
砷化镓半导体探测器 (semiconductor GaAs detector),指用 GaAs 单晶做成的探测器。
定义
碲化镉半导体探测器-放卫
碲化镉半导体探测器 (semiconductor CdTe detector) ,指用CdTe单晶制成的探测器。
定义
硅光电倍增管探测器-放卫
硅光电倍增管探测器 ( silicon photomultiplier detector) ,简称“SiPM探测器”,指由工作在盖革模式下的雪崩二极管阵列构成的高灵敏度硅光电探测器。具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。广泛应用于高能物理及核医学(PET)等领域。 ...
定义
硅光电二极管探测器-放卫
硅光电二极管探测器(silicon photo diode detector) ,指由硅构成的间接探测核辐射的一种硅光电探测器,探测由闪烁体将核辐射转换成的闪烁光。
定义
结型半导体探测器-放卫
结型半导体探测器( junction semiconductor detector) ,指采用热扩散,离子注入和表面势垒工艺制备的 P-N 结和表面势垒探测器。
定义
气体闪烁体-放卫
气体闪烁体(gas scintillator),指一种由气体作闪烁材料的无机闪烁体。它所用的气体大多是惰性气体,如氙、氪、氩、氦及氖等。
定义
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