硅光电二极管探测器-放卫

硅光电二极管探测器(silicon photo diode detector) ,指由硅构成的间接探测核辐射的一种硅光电探测器,探测由闪烁体将核辐射转换成的闪烁光。

碲化镉半导体探测器-放卫

碲化镉半导体探测器 (semiconductor CdTe detector) ,指用CdTe单晶制成的探测器。

砷化镓半导体探测器-放卫

砷化镓半导体探测器 (semiconductor GaAs detector),指用 GaAs 单晶做成的探测器。

碘化汞核辐射探测器-放卫

碘化汞核辐射探测器(HgI2nuclear radiation detector) ,指由 HgI2材料制成的无结器件,是一种匀质体电导型核辐射半导体探测器。

钙钛矿探测器-放卫

钙钛矿探测器(perovskite detector) ,指利用具有钙钛矿结构的铅基卤素半导体材料制成的探测器。

硅光电倍增管探测器-放卫

硅光电倍增管探测器 ( silicon photomultiplier detector) ,简称“SiPM探测器”,指由工作在盖革模式下的雪崩二极管阵列构成的高灵敏度硅光电探测器。具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。广泛应用于高能物理及核医学(PET)等领域。 ...

碲锌镉半导体探测器-放卫

碲锌镉半导体探测器 (semiconductor CdZnTe detector) ,简称“CZT探测器”,指用CdZnTe (CZT )晶体制成的探测器。

低温量热核辐射探测器-放卫

低温量热核辐射探测器(cryogenic calorimetric nuclear radiation detector) ,指利用入射射线被吸收体吸收而完全“热化”、使吸收体温度增加,通过测量吸收体温度增量△T △T 正比于吸收体吸收射线的能量,从而实现对致电离、极少致电离、甚至不致电离的粒子(或事件)的能量测量的探测器。 ...

流气式探测器-放卫

流气式探测器(gas-flow detector) ,指通过气体在探测器中低速流动来维持其中有合适的工作气体的核辐射探测器。例如在放射性核素活度测量中所用的 2π和4π流气式正比计数器。

碘化钠探测器-放卫

碘化钠探测器(sodium iodide detector),指一种由碘化钠晶体制成的辐射探测器,一般会在晶体中掺入铊,分子式为 NaI[Tl]。

高纯锗探测器-放卫

高纯锗探测器(high purity germanium detector,HPGe) ,指用纯度极高的锗单晶制成的半导体探测器。

卫生服务需求保险弹性-卫经

卫生服务需求保险弹性(insurance elasticity of demand for health service),指反映卫生服务需求量的变动对医疗保险补偿水平变动的反应程度。

卫生服务需求交叉弹性-卫经

卫生服务需求交叉弹性(cross elasticity of demand for health service),指反映某卫生服务需求量的变动对相关卫生服务价格变动的反应程度。

劣等品-卫经

劣等品(inferior goods),指需求的收入弹性为负的商品,消费者对该商品的需求水平随收入的增加而下降。

奢侈品-卫经

奢侈品(luxury or superior goods),指需求的收入弹性大于1 的商品,消费者对该商品的需求富有弹性。

正常品-卫经

正常品(normal goods),指需求的收入弹性为正的商品,消费者对这种商品的需求水平随着收入的增加而提高。

硫化锌探测器-放卫

硫化锌探测器(zinc sulfide detector) ,指一种由硫化锌制成的探测器。硫化锌是由Ⅱ B 族元素Zn和Ⅵ A 族元素 S 化合而成的半导体材料,分子式为 ZnS,室温下禁带宽度 3.5eV,属直接跃迁型能带结构。

卫生服务需求收入弹性-卫经

卫生服务需求收入弹性(income elasticity of demand for health service),指反映消费者的卫生服务需求量变动对消费者收入水平变动的反应程度。

前置放大器-放卫

前置放大器 (preamplifier), 指位于信号处理流程最前端直接接收输入的弱信号并初步放大的电路部分。

超导核辐射探测器-放卫

超导核辐射探测器 (superconductor nuclear radiation detector) ,指利用超导体所特有的物理现象及各种结构来构成的核辐射探测器。
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